Intel Foundry Technology Research ha presentado innovaciones clave en el escalado de transistores y empaquetado avanzado durante el IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024, posicionándose a la vanguardia de las demandas tecnológicas futuras en IA y computación de alto rendimiento.
Avances significativos en interconexión y materiales
Intel Foundry anunció mejoras tecnológicas que redefinirán la hoja de ruta de los semiconductores en la próxima década. Entre los principales desarrollos destaca el uso del Rutenio sustractivo (Ru), un material innovador que permite una reducción de hasta el 25% en la capacitancia de línea a línea en procesos de 25 nanómetros o menores. Este avance sustituye el tradicional damasquinado de cobre, ofreciendo mayor compatibilidad con la fabricación en grandes volúmenes y una notable eficiencia en la metalización de interconexiones.
Además, la empresa presentó su solución de Transferencia Selectiva de Capas (SLT), diseñada para aumentar hasta 100 veces el rendimiento en el ensamblaje ultrarrápido de chips mediante integración heterogénea. Esta técnica permite ensamblajes más flexibles y rentables, optimizando el empaquetado de chiplets para aplicaciones avanzadas de IA.
Innovación en escalado de transistores GAA
Intel Foundry también destacó avances en el desarrollo de transistores CMOS RibbonFET de silicio, que alcanzan una longitud de puerta de 6 nanómetros, garantizando efectos de canal corto líderes en la industria. Este enfoque refuerza los principios de la Ley de Moore, permitiendo un escalado más eficiente en dispositivos de silicio.
Asimismo, el equipo trabaja en el desarrollo de transistores FET GAA 2D escalados basados en semiconductores bidimensionales como los dicalcogenuros de metales de transición (TMD). Estos materiales emergentes podrían reemplazar al silicio en nodos avanzados, ofreciendo mayores capacidades de escalado y rendimiento.
Tecnología GaN: una nueva frontera en electrónica avanzada
En un paso hacia aplicaciones de alta potencia y radiofrecuencia, Intel Foundry introdujo los primeros MOSHEMT de GaN fabricados en sustratos de 300 mm, una innovación pionera que mejora el rendimiento térmico y eléctrico. Estos dispositivos, desarrollados en GaN sobre TRSOI (silicio sobre aislante “rico en trampas”), prometen revolucionar la electrónica de potencia y RF con menor pérdida de señal y mayor eficiencia.
Implicaciones estratégicas para la industria
A medida que el sector busca integrar un billón de transistores en un solo chip para 2030, los avances presentados por Intel Foundry son esenciales para abordar las crecientes demandas de eficiencia energética y rendimiento. Según Sanjay Natarajan, vicepresidente sénior de Intel Foundry Technology Research, estas tecnologías no solo refuerzan la competitividad de Intel, sino que también contribuyen al equilibrio de la cadena de suministro global y al liderazgo tecnológico de EE.UU., impulsado por iniciativas como la U.S. CHIPS Act.
Perspectivas futuras: más allá de la Ley de Moore
La combinación de materiales avanzados, integración heterogénea y nuevos paradigmas de diseño coloca a Intel Foundry en una posición estratégica para liderar la transición hacia la próxima era de la computación. Estos desarrollos no solo sustentan el progreso continuo de la Ley de Moore, sino que también abren nuevas posibilidades en IA y aplicaciones computacionales de alto rendimiento.
